SSD-накопитель SAMSUNG PM9A1 512GB M.2 NVMe OEM (MZVL2512HCJQ-00B00)
Похожий по стоимости товар
Вы можете сохранить ссылку на эту страницу или поделиться с вашими друзьями в вашем профиле соц.сети. Для этого нажмите на иконку ниже.
Описание
Форм-фактор: M.2 2280
Емкость: 512 ГБ
Тип ячеек памяти: 3D NAND TLC
Контроллер: Samsung Elpis
Интерфейс передачи данных: NVMe PCIe
Версия PCIe: Gen4 x4
Смотрите также другие
SSD-накопители Samsung в нашем магазине.
Характеристики
| Серия: | B |
| Форм-фактор: | M.2 2280 |
| Емкость: | 512 ГБ |
| Тип ячеек памяти: | 3D NAND TLC |
| Контроллер: | Samsung Elpis |
| Интерфейс передачи данных: | NVMe PCIe |
| Версия PCIe: | Gen4 x4 |
| Версия NVMe: | 1.3 |
| Скорость чтения (ATTO), до: | 6900 МБ/с |
| Скорость записи (ATTO), до: | 5000 МБ/с |
| Ресурс записи: | 300 TBW |
| Время отработки на отказ (МТBF): | 1.5 млн. часов |
| Подсветка: | нет |
| Радиатор: | нет |
* Характеристики, внешний вид и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
Купить товар в 1 клик / SAMSUNG PM9A1 512GB M.2 NVMe OEM (MZVL2512HCJQ-00B00)
Данный товар может вас заинтересовать
Подробнее / SAMSUNG PM9A1 512GB M.2 NVMe OEM (MZVL2512HCJQ-00B00)
Молниеносно высокая производительность становится новой реальностью в клиентской вычислительной среде с переходом последнего поколения клиентских процессоров на PCIe Gen4 в качестве интерфейса для передачи данных в центральный процессор. Samsung PM9A1 позволяет конечным пользователям полностью реализовать преимущества этого более быстрого стандарта, обеспечивая значительное и заметное повышение производительности по сравнению с предыдущим поколением мощных пользователей ПК.
Специализированный твердотельный накопитель Samsung PM9A1, разработанный с учетом требований к рабочим нагрузкам, обеспечивает лучшую в области производительность и отвечает требованиям OEM-производителей к безопасности данных, термоконтролю и управлению питанием. Накопитель Samsung PM9A1 подходит для широкого спектра высокопроизводительных приложений для ПК, таких как игры, создание контента и анализ данных – сред с интенсивным использованием данных и высокими требованиями, где производительность имеет первостепенное значение.
Высокая производительность
Новейшие предложения от производителей процессоров поддерживают интерфейс PCIe 4.0 для накопителей и других периферийных устройств, и это не случайно, поскольку новый стандарт предлагает вдвое большую пропускную способность, чем PCIe Gen3. PM9A1, первый в индустрии накопитель PCIe Gen4, поставляемый на рынок OEM-производителей, максимально раскрывает потенциал последнего поколения процессоров. Он обеспечивает до 100% увеличение скорости последовательного чтения по сравнению с высокопроизводительными накопителями Gen3, что позволяет ускорить работу с файлами при работе с большими объемами данных, например при редактировании видео, 3D-рендеринге, моделировании и в играх. Это также увеличивает скорость произвольного чтения до 50%, сокращая время загрузки и улучшая отклик системы.
Оптимизированный дизайн
Являясь вертикально интегрированным поставщиком твердотельных накопителей, компания Samsung может предложить продукт высочайшего качества и обеспечить высокий уровень поддержки. Все ключевые компоненты, включая DRAM, V-NAND и контроллер, разрабатываются своими силами. В накопителе PM9A1 используется память V-NAND шестого поколения от Samsung, которая на 12% быстрее читает и на 20% быстрее записывает, при этом энергопотребление понижено на 15% по сравнению с предыдущим поколением.
Особенности OEM
PM9A1 был разработан для строгих спецификаций OEM-производителей. Он обеспечивает наилучшее в области терморегулирования благодаря никелевому покрытию контроллера, маркировке рассеивателя тепла и Dynamic Thermal Guard, собственному алгоритму терморегулирования Samsung. Кроме того, PM9A1 обеспечивает высокую производительность, сохраняя при этом энергопотребление на уровне с дисками предыдущего поколения Gen3. Для обеспечения безопасности данных PM9A1 оснащен аппаратным 256-битным шифрованием AES-XTS и соответствует стандарту TCG OPAL (v2.1) для SED.
Оценка